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集成電路工藝培訓(xùn)班

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一、集成電路制造的前工藝集成技術(shù)

二、集成電路制造的后道工藝集成技術(shù)

三、PVD工藝技術(shù)

四、CVD工藝技術(shù)

五、litho工藝技術(shù)

六、刻蝕的基本原理

七、IBE刻蝕原理及設(shè)備

八、RIE刻蝕原理及設(shè)備

九、ICP刻蝕原理及設(shè)備

十、工藝過程、檢測及儀器

十一、氧化

　　 1.　二氧化硅（SiO2）的性質(zhì)及作用

　　 2.　熱氧化生長SiO2

十二、　光刻與刻蝕

　　 1.　光刻工藝流程
　　 2.　光刻膠的基本屬性

十三、　摻雜

　　 1.　擴(kuò)散　
　　 2.　離子注入

十四、　淀積

　　 1.　物理氣相淀積

　　 2.　化學(xué)氣相淀積

十五、　接觸與互連

十六、　CMOS工藝主要流程

十七、前端閘極設(shè)計(jì)、

十八、 信道結(jié)構(gòu)、 源汲極淺結(jié)構(gòu)，以及

十九、 后端銅導(dǎo)線工藝整合

二十、總結(jié)與強(qiáng)化講解

★ 外延生長
★ 掩膜制版工藝
★ 光刻
★ 熱氧化
★ 摻雜工藝（熱擴(kuò)散、離子注入）
★ 刻蝕
★ 化學(xué)氣相淀積
★ 鍍膜
★ 集成電路工藝集成技術(shù)(MOS工藝、雙極型工藝)